IS66WV51216EBLL-70TLI-TR, SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024578735
- Артикул
- IS66WV51216EBLL-70TLI-TR
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- Type:
- Asynchronous
- Brand:
- ISSI
- Вес, г
- 0.16
- Access Time:
- 70 ns
Цена по запросу
(от 1 371,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM обладают лучшими функциями как DRAM, так и SRAM. ISSI PSRAM/CellularRAM имеет арxитектуру, подобную SRAM. В отличие от DRAM, здесь предусмотрена скрытая функция обновления, которая не требует физического обновления. Эти устройства CellularRAM разработаны в соответствии со стандартами CellularRAM и доступны в версияx CRAM 1.5 и CRAM 2.0.
Технические параметры
| Type: | Asynchronous |
| Brand: | ISSI |
| Вес, г | 0.16 |
| Access Time: | 70 ns |
| Memory Size: | 8 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Корпус | TSOP |
| Manufacturer: | ISSI |
| Organisation: | 512 k x 16 |
| Package/Case: | TSOP-44 |
| Product Type: | SRAM |
| Interface Type: | Parallel |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SRAM |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | SRAM |
| Supply Current - Max: | 28 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Объем памяти | 8Мб |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Напряжение питания, В | 2.5 |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 70нс |