Моя заявка (0)

IS66WV51216EBLL-70TLI, IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.5?3.6V; 70ns; TSOP44 II; parallel

IS66WV51216EBLL-70TLI, IC: SRAM memory; 512kx16bit; 2.5?3.6V; 70ns; TSOP44 II; parallel

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062261243
Артикул
IS66WV51216EBLL-70TLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
Type:
Asynchronous
Brand:
ISSI
Вес, г
0.5
Access Time:
70 ns
Цена по запросу
(от 1 126,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM обладают лучшими функциями как DRAM, так и SRAM. ISSI PSRAM/CellularRAM имеет арxитектуру, подобную SRAM. В отличие от DRAM, здесь предусмотрена скрытая функция обновления, которая не требует физического обновления. Эти устройства CellularRAM разработаны в соответствии со стандартами CellularRAM и доступны в версияx CRAM 1.5 и CRAM 2.0.

Технические параметры

Type:Asynchronous
Brand:ISSI
Вес, г0.5
Access Time:70 ns
Memory Size:8 Mbit
Memory Type:SDR
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:ISSI
Organization:512 k x 16
Product Type:SRAM
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-44
Product Category:SRAM
Moisture Sensitive:Yes
Supply Current - Max:28 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.5 V
Factory Pack Quantity:135
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация