IS62C1024AL-35QLI, IC: SRAM memory; 128kx8bit; 4.5?5.5V; 35ns; SOP32; parallel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008508732
- Артикул
- IS62C1024AL-35QLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- ECCN
- 3A991B2B
- HTSUS
- 8542.32.0041
- Package
- Tray
- Low Power
- Yes
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание IC: SRAM memory; 128kx8bit; 4.5?5.5V; 35ns; SOP32; parallel Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SRAM
Технические параметры
| ECCN | 3A991B2B |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Package | Tray |
| Low Power | Yes |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Вес, г | 1.41 |
| Длина | 20.75мм |
| Серия | 62C |
| Access Time | 35ns |
| Memory Size | 1Mb (128K x 8) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 3мм |
| Корпус | SOIC-32(11.30мм) |
| Ширина | 11.43мм |
| Memory Format | SRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 32-SOIC (0.445"", 11.30mm Width) |
| Размеры | 20.75 x 11.43 x 3мм |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Интерфейс | parallel |
| Тип памяти | SRAM |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Тип корпуса | SOP |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Организация | 128К слов x 8 бит |
| Supplier Device Package | 32-SOP |
| Объем памяти | 1 Мбит(128К x 8) |
| Производитель | ISSI |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
| Количество слов | 128K |
| Число контактов | 32 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Тип синхронизации | Асинхронный |
| Ширина адресной шины | 17бит |
| Напряжение питания, В | 4.5…5.5 |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Количество бит на слово | 8бит |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Максимальная рабочая температура | +85 °C |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 4,5 В |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 35нс |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 5,5 В |
| Максимальное время произвольного доступа | 35нс |