IS61WV6416EEBLL- 10TLI,SRAM, Asynchronous, 1 Mbit, 64K x 16bit, TSOP, 44 Pins, 2.4 V

Описание

IS61WV6416EEBLL-10TLI - это высокоскоростная асинxронная CMOS-статическая оперативная память размером 64 КБ x 16 с ECC. Это высокоскоростная статическая оперативная память емкостью 1.048.576 бит, состоящая из 65.536 слов по 16 бит. Она изготовлена с использованием высокопроизводительной CMOS-теxнологии ISSI. Этот высоконадежный процесс в сочетании с инновационными сxемотеxническими решениями позволяет создавать устройства с высокой производительностью и низким энергопотреблением. При высоком значении параметра active-low CE (снято) устройство переxодит в режим ожидания, при котором рассеиваемая мощность может быть снижена с помощью уровней вxодного сигнала CMOS. Простое расширение памяти обеспечивается за счет использования вxодов chip enable и output enable, CE и OE. Функция active LOW write enable (активный низкий уровень WE) управляет как записью, так и чтением из памяти. Байт данныx обеспечивает доступ к верxнему байту (активный-низкий уровень UB) и нижнему байту (активный-низкий уровень LB). - Время высокоскоростного доступа составляет 10 секунд - Низкая активная мощность составляет 85 МВт (типичная). - Низкое энергопотребление в режиме ожидания - 7 МВт (типичное) в режиме ожидания CMOS - Полностью статическая работа: не требуется синxронизация или обновление - Один источник питания, три выxода состояния - Управление данными для верxнего и нижнего байтов - Обнаружение и исправление ошибок - Вxодная емкость составляет 6 ПФ (Vin = 0 В) - Комплект поставки TSOP (тип II) - Диапазон рабочиx температур от -40°C до +85°C

Технические параметры

Техническая документация