IS61WV51216EDBLL-10TLI, Память, SRAM, 512Кx16бит, 2,4-3,6В, 10нс, TSOP44 II, -40-85°C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024651174
- Артикул
- IS61WV51216EDBLL-10TLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- ECCN
- 3A991B2A
- HTSUS
- 8542.32.0041
- Package
- Tray
- Technology
- SRAM - Asynchronous
Цена по запросу
(от 1 453,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SRAM - Асинxронная микросxема памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельная 10нс 44-TSOP II
Технические параметры
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Package | Tray |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Вес, г | 0.2 |
| Серия | 61WV |
| Access Time | 10ns |
| Memory Size | 8Mb (512K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | tsop44 |
| Memory Format | SRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Тип памяти | SRAM |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Время Доступа | 10нс |
| Размер Памяти | 8Мбит |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Напряжение питания, В | 2.4-3.6 |
| Конфигурация Памяти SRAM | 512К x 16бит |
| Рабочая температура, °C | -40..85 |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.4В до 3.6В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 10нс |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |