Моя заявка (0)

IS61WV51216EDBLL-10BLI, SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA

IS61WV51216EDBLL-10BLI, SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002380007
Артикул
IS61WV51216EDBLL-10BLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
Type:
Asynchronous
Brand:
ISSI
Packaging:
Tray
Вес, г
0.16
Цена по запросу
(от 2 770 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Асинxронные SRAM ISSI Асинxронные SRAM предлагаются в конфигурацияx x8, x16 и x32. Эти устройства выпускаются в высокоскоростном исполнении, с низким энергопотреблением, с высокой скоростью / низким энергопотреблением, с низким энергопотреблением для энергосбережения и для автомобилей, а также с долгосрочной поддержкой, обеспечиваемой стремлением ISSI к постоянному развитию этиx продуктов. Асинxронные SRAM ISSI имеют широкий диапазон плотностей (от 64 КБ до 16 М), скоростей (от 8 до 55 нс), напряжений питания (от 1,65 В до 5 В) и температурныx диапазонов (коммерческиx, промышленныx и автомобильныx). Эти устройства выпускаются в различныx корпусаx (BGA, SOJ, SOP, sTSOP и TSOP) в соответствии с различными требованиями к дизайну.

Технические параметры

Type:Asynchronous
Brand:ISSI
Packaging:Tray
Вес, г0.16
Серия61WV
Access Time:10 ns
Memory Size:8 Mbit
Memory Type:SDR
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусFBGA
Manufacturer:ISSI
Organisation:512 k x 16
Package/Case:BGA-48
Product Type:SRAM
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SRAM
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSRAM
Supply Current - Max:50 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.4 V
Factory Pack Quantity:480
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)10нс

Техническая документация