Моя заявка (0)

IS61WV25616EDBLL-10TLI, (256K x 16, 2.5/3.3V), Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В

IS61WV25616EDBLL-10TLI, (256K x 16, 2.5/3.3V), Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8588179660
Артикул
IS61WV25616EDBLL-10TLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
3A991B2A
RoHS
Details
Type
Asynchronous
Brand
ISSI
Цена по запросу
(от 331,67 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В

Технические параметры

ECCN3A991B2A
RoHSDetails
TypeAsynchronous
BrandISSI
HTSUS8542.32.0041
SeriesIS61WV25616EDBLL
PackageTray
PackagingTray
TechnologySRAM - Asynchronous
Вес, г3.11
Серия61WV
Access Time10ns
Memory Size4Mb (256K x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
ManufacturerISSI
Organization256 k x 16
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTSOP44-II
Memory FormatSRAM
Mounting TypeSurface Mount
Interface TypeParallel
Mounting StyleSMD/SMT
Package / Case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Memory InterfaceParallel
Product CategorySRAM
Voltage - Supply2.4V ~ 3.6V
Supply Current - Max35 mA
Supply Voltage - Max3.6 V
Supply Voltage - Min2.4 V
Factory Pack Quantity135
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supplier Device Package44-TSOP II
Объем памяти4Мбит
Maximum Operating Temperature+85 C
Minimum Operating Temperature-40 C
Write Cycle Time - Word, Page10ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Максимальная тактовая частота (скорость)10нс

Техническая документация