IS61WV25616EDBLL-10TLI, SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005378535
- Артикул
- IS61WV25616EDBLL-10TLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- ECCN
- 3A991B2A
- RoHS
- Details
- Type
- Asynchronous
- Brand
- ISSI
Цена по запросу
(от 1 659,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SRAM - Асинxронная микросxема памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10нс 44-TSOP II
Технические параметры
| ECCN | 3A991B2A |
| RoHS | Details |
| Type | Asynchronous |
| Brand | ISSI |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Series | IS61WV25616EDBLL |
| Package | Tray |
| Packaging | Tray |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Вес, г | 0.47 |
| Серия | 61WV |
| Access Time | 10ns |
| Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | ISSI |
| Organization | 256 k x 16 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TSOP44-II |
| Memory Format | SRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Interface Type | Parallel |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| Memory Interface | Parallel |
| Product Category | SRAM |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Тип памяти | SRAM |
| Supply Current - Max | 35 mA |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity | 135 |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Объем памяти | 4Мб |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 10нс |