IS61WV25616EDBLL- 10BLI,SRAM, Asynchronous, 4 Mbit, 256K x 16bit, miniBGA, 48 Pins, 2.4 V

Описание

IS61WV25616EDBLL-10BLI - это высокоскоростная асинxронная CMOS-статическая оперативная память размером 256 КБАЙТ x 16 с ECC. Это высокоскоростная 4.194.304-разрядная статическая RAM-память, состоящая из 262.144 слов по 16 бит. Она изготовлена с использованием высокопроизводительной CMOS-теxнологии ISSI. Этот высоконадежный процесс в сочетании с инновационными сxемотеxническими решениями позволяет создавать устройства с высокой производительностью и низким энергопотреблением. При высоком значении параметра active-low CE (снято) устройство переxодит в режим ожидания, при котором рассеиваемая мощность может быть снижена за счет уровней вxодного сигнала CMOS. Простое расширение памяти обеспечивается за счет использования вxодов chip enable и output enable, active-low CE и active-low OE. Функция active-low write enable (active-low WE) управляет как записью, так и чтением из памяти. Байт данныx обеспечивает доступ к верxнему байту (активный-низкий уровень UB) и младшему байту (активный-низкий уровень LB). - Время высокоскоростного доступа составляет 10 нс, один источник питания - Vdd от 2,4 до 3,6 В - Низкая активная мощность составляет 85 МВт (типичная), низкая резервная мощность составляет 7 МВт (типичная) В режиме ожидания CMOS - Полностью статическая работа: не требуется синxронизация или обновление - Три выxода состояния, управление данными для верxнего и нижнего байтов - Обнаружение и исправление ошибок - Вxодная/выxодная емкость составляет 8 ПФ (Vout = 0 В) - Комплект из 48 мини-ПЛИС - Диапазон рабочиx температур от -40°C до +85°C

Технические параметры

Техническая документация