Моя заявка (0)
IS61WV25616BLL-10TL, SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005378534
Артикул
IS61WV25616BLL-10TL
Бренд
Integrated Silicon Solution
HTS
8542.32.00.41
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 1 565,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SRAM - Асинxронная микросxема памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10нс 44-TSOP II

Технические параметры

HTS8542.32.00.41
ECCN3A991B2A
HTSUS8542.32.0041
EU RoHSCompliant
PackageTray
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Pin Count44
Lead ShapeGull-wing
TechnologySRAM - Asynchronous
Вес, г0.47
Серия61WV
Access Time10ns
Memory Size4Mb (256K x 16)
Memory TypeVolatile
PCB changed44
Part StatusActive
RoHS StatusROHS3 Compliant
Timing TypeAsynchronous
REACH StatusREACH Unaffected
Memory FormatSRAM
Mounting TypeSurface Mount
Package Width10.29(Max)
Package / Case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Package Height1.05(Max)
Package Length18.52(Max)
Number of Ports1
Number of Words256K
Memory InterfaceParallel
Supplier PackageTSOP-II
Voltage - Supply2.4V ~ 3.6V
Chip Density (bit)4M
Process TechnologyCMOS
Тип памятиSRAM
Max. Access Time (ns)10
Operating Temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
Standard Package NameSOP
Data Rate ArchitectureSDR
Operating Current (mA)40
Address Bus Width (bit)18
Supplier Device Package44-TSOP II
Объем памяти4Мб
Number of Bits/Word (bit)16
Supplier Temperature GradeCommercial
Write Cycle Time - Word, Page10ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Maximum Operating Temperature (°C)70
Minimum Operating Temperature (°C)0
Maximum Operating Supply Voltage (V)3.6
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.4
Typical Operating Supply Voltage (V)2.5|3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)10нс

Техническая документация