IS61WV102416DBLL-10BLI, SRAM, Asynchronous SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, BGA, 48 Pins, 2.4 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000424714
- Артикул
- IS61WV102416DBLL-10BLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- ECCN
- 3A991B2A
- HTSUS
- 8542.32.0041
- Package
- Tray
- Technology
- SRAM - Asynchronous
Цена по запросу
(от 3 470 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SRAM - Асинxронная микросxема памяти объемом 16 Мб (1 М x 16) с параллельным подключением 10ns 48-TFBGA (6x8)
Технические параметры
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Package | Tray |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Вес, г | 0.08 |
| Серия | 61WV |
| Access Time | 10ns |
| Memory Size | 16Mb (1M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Memory Format | SRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Тип памяти | SRAM |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
| Объем памяти | 16Мбит |
| Время Доступа | 10нс |
| Размер Памяти | 16Мбит |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
| Напряжение питания, В | 2.4 |
| Конфигурация Памяти SRAM | 1М x 16бит |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.4В до 3.6В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | BGA |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |