Моя заявка (0)

IS61LV5128AL-10TLI, SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS

IS61LV5128AL-10TLI, SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005378925
Артикул
IS61LV5128AL-10TLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
3A991B2A
RoHS
Details
Type
Asynchronous
Brand
ISSI
Цена по запросу
(от 1 521,03 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание IC: SRAM memory; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; parallel Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид DRAM

Технические параметры

ECCN3A991B2A
RoHSDetails
TypeAsynchronous
BrandISSI
HTSUS8542.32.0041
Width10.29mm
SeriesIS61LV5128AL
PackageTray
Data RateSDR
Low PowerYes
PackagingTray
Pin Count44
TechnologySRAM - Asynchronous
Вес, г0.45
Access Time10ns
Memory Size4Mb (512K x 8)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Timing TypeAsynchronous
ManufacturerISSI
Organisation512k x 8 bit
Organization512 k x 8
Package TypeTSOP
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTSOP
Memory FormatSRAM
Mounting TypeSurface Mount
Interface TypeParallel
Mounting StyleSMD/SMT
Package / Case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Number of Ports1
Number of Words512k
Memory InterfaceParallel
Product CategorySRAM
Voltage - Supply3.135V ~ 3.6V
Address Bus Width19bit
Тип памятиSRAM
Supply Current - Max20 mA
Supply Voltage - Max3.63 V
Supply Voltage - Min3.135 V
Factory Pack Quantity135
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Maximum Clock Frequency100 MHz
Number of Bits per Word8bit
Supplier Device Package44-TSOP II
Объем памяти4Мб
Maximum Random Access Time10ns
Maximum Operating Temperature+85 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Write Cycle Time - Word, Page10ns
Maximum Operating Supply Voltage3.63 V
Minimum Operating Supply Voltage3.135 V
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Максимальная тактовая частота (скорость)10нс

Техническая документация