Моя заявка (0)

IS61C6416AL-12TLI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 5В, 12нс, TSOP44 II, параллельный

IS61C6416AL-12TLI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 5В, 12нс, TSOP44 II, параллельный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024651167
Артикул
IS61C6416AL-12TLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
3A991B2B
HTSUS
8542.32.0041
Type:
Asynchronous
Brand:
ISSI
Цена по запросу
(от 515 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 5В, 12нс, TSOP44 II, параллельный Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SRAM

Технические параметры

ECCN3A991B2B
HTSUS8542.32.0041
Type:Asynchronous
Brand:ISSI
PackageTray
Series:IS61C6416AL
Packaging:Tray
TechnologySRAM - Asynchronous
Вес, г0.48
Серия61C
Access Time12ns
Memory Size1Mb (64K x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:12 ns
Memory Size:1 Mbit
Memory Type:SDR
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусTSOP-44(10.16мм)
Manufacturer:ISSI
Memory FormatSRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:64 k x 16
Package/Case:TSOP-44
Product Type:SRAM
Package / Case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Memory InterfaceParallel
Number of Ports:1
Voltage - Supply4.5V ~ 5.5V
Product Category:SRAM
Интерфейсparallel
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSRAM
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supply Current - Max:45 mA
Supply Voltage - Max:5.5 V
Supply Voltage - Min:4.5 V
Supplier Device Package44-TSOP II
Объем памяти1 Мбит(64К x 16)
Write Cycle Time - Word, Page12ns
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В4.5…5.5
Рабочая температура, °C-40…+85
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:135
Максимальная тактовая частота (скорость)12нс

Техническая документация