Моя заявка (0)

DRAM, 8 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43TR16512BL-107MBL

DRAM, 8 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43TR16512BL-107MBL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064116258
Артикул
IS43TR16512BL-107MBL
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
Type:
SDRAM-DDR3L
Brand:
ISSI
Цена по запросу
(от 20 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема памяти SDRAM - DDR3L 8 Гб (512 М x 16) Параллельная 933 МГц 20ns 96-TWBGA (10x14)

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0036
Type:SDRAM-DDR3L
Brand:ISSI
PackageTray
Packaging:Tray
TechnologySDRAM - DDR3L
Вес, г1
Access Time20ns
Memory Size8Gb (512M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:20 ns
Memory Size:8 Gbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:ISSI
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organization:512 M x 16
Product Type:DRAM
Package / Case96-TFBGA
Clock Frequency933MHz
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:FBGA-96
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply1.283V ~ 1.45V
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Operating Temperature0В°C ~ 95В°C (TC)
Supply Current - Max:112 mA
Supply Voltage - Max:1.45 V
Supply Voltage - Min:1.283 V
Factory Pack Quantity:136
Supplier Device Package96-TWBGA (10x14)
Maximum Clock Frequency:933 MHz
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Maximum Operating Temperature:+95 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)

Техническая документация