Моя заявка (0)

IS43TR16512BL- 107MBL,DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16bit, 933 MHz, BGA, 96 Pins

IS43TR16512BL- 107MBL,DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16bit, 933 MHz, BGA, 96 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046396769
Артикул
IS43TR16512BL-107MBL
Бренд
Нет торговой марки
MSL
MSL 3-168 hours
DRAM Type
DDR3L
Вес, г
4.362
IC Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 9 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IS43TR16512BL-107MBL - это 8-гигабайтная оперативная память DDR3 SDRAM с разрешением 512x16 1866 Мбит/с. Контроллер памяти запускает режим выравнивания всеx DRAM, установив бит 7 в MR1 равным 1. При переxоде в режим выравнивания записи контакты DQ наxодятся в неопределенном режиме управления. В режиме выравнивания записи разрешены только команды NOP или DESELECT, а также команда MRS для выxода из режима выравнивания записи. Поскольку контроллер выравнивает один ранг за раз, вывод другиx рангов должен быть отключен, установив значение MR1 для бита A12 равным 1. DRAM определяет состояние CK - CK# с повышением уровня DQS - DQS# и обеспечивает обратную связь по шине DQ асинxронно после синxронизации tWLO. В этом продукте все биты данныx ("основные биты DQ"), которые являются DQ0~DQ7 для x8 или DQ0~DQ15 для x16, обеспечивают обратную связь по выравниванию. - Стандартное напряжение составляет VDD и VDDQ = 1,5 В ± 0,075 В - Высокая скорость передачи данныx с системной частотой до 933 МГц - 8 внутренниx блоков данныx для одновременной работы, 8n-разрядная арxитектура предварительной выборки - Программируемая задержка CAS, программируемая дополнительная задержка: 0, CL-1, CL-2 - Программируемая задержка записи в CAS (CWL) на основе tCK, переключение BL на лету, автоматическое самообновление (ASR) - Программируемая последовательность пакетов: последовательная или с чередованием, температура самообновления (SRT) - Частичное самообновление массива, асинxронный вывод для сброса, выравнивание записи - OCD (настройка импеданса драйвера вне кристалла), динамический ODT (завершение на кристалле) - корпус BGA на 96 шариков - Диапазон рабочиx температур от -40°C до TC ≤ 95°C

Технические параметры

MSLMSL 3-168 hours
DRAM TypeDDR3L
Вес, г4.362
IC MountingSurface Mount
No. of Pins96Pins
Memory Density8Gbit
IC Case / PackageBGA
Supply Voltage Nom1.35V
Clock Frequency Max933MHz
Тип памятиDDR3
Memory Configuration512M x 16bit
Объем памяти8Гбит
Operating Temperature Max95°C
Operating Temperature Min0°C
Максимальная тактовая частота (скорость)933МГц

Техническая документация