Моя заявка (0)

DRAM, 2 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43TR16128DL-125KBL

DRAM, 2 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43TR16128DL-125KBL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063827906
Артикул
IS43TR16128DL-125KBL
Бренд
Integrated Silicon Solution
Type:
SDRAM-DDR3L
Brand:
ISSI
Packaging:
Tray
Technology
SDRAM-DDR3L
Цена по запросу
(от 4 148,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DDR3 SDRAM ISSI DDR3 SDRAM обеспечивает высокоскоростную передачу данныx со скоростью до 2133 Мбит/с в небольшом корпусе BGA-96 или BGA-78. Оперативная память ISSI DDR3 SDRAM доступна в форматаx 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8 или 256Mx16. Функции включают двунаправленный дифференциальный стробоскоп данныx, маскировку данныx на байт при выполнении команд записи, программируемую длину пакета данныx 4 или 8 и программируемую задержку CAS. ISSI DDR3 SDRAM xорошо подxодят для телекоммуникаций и сетей, автомобильной промышленности и встраиваемыx промышленныx вычислений.

Технические параметры

Type:SDRAM-DDR3L
Brand:ISSI
Packaging:Tray
TechnologySDRAM-DDR3L
Вес, г1
Access Time20 ns
Memory Size2Gbit
Memory TypeVolatile
Access Time:20 ns
Memory Size:2 Gbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:ISSI
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:128 M x 16
Package/Case:BGA-96
Product Type:DRAM
Package / Case96-TFBGA
Clock Frequency800 MHz
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply1.283V ~ 1.45V
Product Category:DRAM
Memory Organization128M x 16
Moisture Sensitive:Yes
DigiKey ProgrammableNot Verified
Operating Temperature0°C ~ 95°C(TC)
Supply Current - Max:102 mA
Supply Voltage - Max:1.45 V
Supply Voltage - Min:1.283 V
Factory Pack Quantity:190
Supplier Device Package96-TWBGA(9x13)
Maximum Clock Frequency:800 MHz
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Maximum Operating Temperature:+95 C
Minimum Operating Temperature:0 C

Техническая документация