Моя заявка (0)

DRAM, 2 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43TR16128D-125KBL

DRAM, 2 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43TR16128D-125KBL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063895354
Артикул
IS43TR16128D-125KBL
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
Type:
SDRAM-DDR3
Brand:
ISSI
Цена по запросу
(от 3 913,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема памяти SDRAM - DDR3 2 Гб (128 М x 16) Параллельная 800 МГц 20ns 96-TWBGA (9x13)

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0036
Type:SDRAM-DDR3
Brand:ISSI
PackageTray
Series:IS43TR16128D
Packaging:Tray
TechnologySDRAM - DDR3
Вес, г1
Access Time20ns
Memory Size2Gb (128M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:20 ns
Memory Size:2 Gbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:ISSI
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organization:128 M x 16
Product Type:DRAM
Package / Case96-TFBGA
Clock Frequency800MHz
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:BGA-96
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply1.425V ~ 1.575V
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Operating Temperature0В°C ~ 95В°C (TC)
Supply Current - Max:102 mA
Supply Voltage - Max:1.575 V
Supply Voltage - Min:1.425 V
Supplier Device Package96-TWBGA (9x13)
Maximum Clock Frequency:800 MHz
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Maximum Operating Temperature:+95 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:190

Техническая документация