Моя заявка (0)

IS42VM16160K-75BLI, DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA

IS42VM16160K-75BLI, DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002182641
Артикул
IS42VM16160K-75BLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0024
Type:
SDRAM Mobile
Brand:
ISSI
Цена по запросу
(от 1 440 ₽)
Минимальный заказ: 19 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SDRAM - микросxема мобильной памяти 256 Мб (16 М x 16), параллельная 133 МГц 6ns 54-TFBGA (8x8)

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0024
Type:SDRAM Mobile
Brand:ISSI
PackageTray
Packaging:Tray
TechnologySDRAM - Mobile
Вес, г0.16
Access Time6ns
Memory Size256Mb (16M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:5.5 ns
Memory Size:256 Mbit
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусFBGA
Manufacturer:ISSI
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organization:16 M x 16
Product Type:DRAM
Package / Case54-TFBGA
Clock Frequency133MHz
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:BGA-54
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply1.7V ~ 1.95V
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSDRAM
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supply Current - Max:100 mA
Supply Voltage - Max:1.95 V
Supply Voltage - Min:1.7 V
Factory Pack Quantity:348
Supplier Device Package54-TFBGA (8x8)
Объем памяти256Мбит
Maximum Clock Frequency:133 MHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В1.8

Техническая документация