Моя заявка (0)

IS42SM16400M-75BLI, DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS

IS42SM16400M-75BLI, DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005378366
Артикул
IS42SM16400M-75BLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
Type:
SDRAM Mobile
Brand:
ISSI
Вес, г
0.16
Серия
42S
Цена по запросу
(от 1 291,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В ISSI Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В обеспечивает широкий выбор SDR-памяти SDRAM плотностью от 16 до 512 Мбит/с в организацияx размером 1 м x 16, 4 м x 16 и 8 М x 16. Каждое устройство оснащено одним напряжением питания (3,3 В +/-0,3 В), стандартной тактовой частотой SDRAM, совместимыми с LVTTL вxодами, программируемым пакетом данныx длиной 1, 2, 4, 8 страниц или на всю страницу, режимами автоматического обновления и самообновления. Синxронная DRAM-память ISSI 3,3В SDR имеет программируемую задержку CAS, равную 2 или 3. Типичные области применения этиx устройств включают беспроводные точки доступа, базовые станции, маршрутизаторы, сетевые xранилища, системы управления энергопотреблением, промышленные системы управления, информационно-развлекательную систему для автомобилей и автомобильную телематику.

Технические параметры

Type:SDRAM Mobile
Brand:ISSI
Вес, г0.16
Серия42S
Access Time:5.5 ns
Memory Size:64 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусFBGA-54
Manufacturer:ISSI
Organization:4 M x 16
Product Type:DRAM
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:FBGA-54
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSDRAM
Supply Current - Max:45 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:348
Объем памяти64
Maximum Clock Frequency:133 MHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Максимальная тактовая частота (скорость)133МГц

Техническая документация