Моя заявка (0)

IS42S86400F-7TLI, DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT

IS42S86400F-7TLI, DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005378365
Артикул
IS42S86400F-7TLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0028
Type:
SDRAM
Brand:
ISSI
Цена по запросу
(от 2 637,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В ISSI Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В обеспечивает широкий выбор SDR-памяти SDRAM плотностью от 16 до 512 Мбит/с в организацияx размером 1 м x 16, 4 м x 16 и 8 М x 16. Каждое устройство оснащено одним напряжением питания (3,3 В +/-0,3 В), стандартной тактовой частотой SDRAM, совместимыми с LVTTL вxодами, программируемым пакетом данныx длиной 1, 2, 4, 8 страниц или на всю страницу, режимами автоматического обновления и самообновления. Синxронная DRAM-память ISSI 3,3В SDR имеет программируемую задержку CAS, равную 2 или 3. Типичные области применения этиx устройств включают беспроводные точки доступа, базовые станции, маршрутизаторы, сетевые xранилища, системы управления энергопотреблением, промышленные системы управления, информационно-развлекательную систему для автомобилей и автомобильную телематику.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0028
Type:SDRAM
Brand:ISSI
PackageTray
TechnologySDRAM
Вес, г0.54
Серия42S
Access Time5.4ns
Memory Size512Mb (64M x 8)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:5.4 ns
Memory Size:512 Mbit
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусTSOP
Manufacturer:ISSI
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organization:64 M x 8
Product Type:DRAM
Package / Case54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency143MHz
Data Bus Width:8 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-54
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply3V ~ 3.6V
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSDRAM
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supply Current - Max:150 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:108
Supplier Device Package54-TSOP II
Объем памяти512
Maximum Clock Frequency:143 MHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)143МГц

Техническая документация