Моя заявка (0)

Микросхема IS42S81600F-7TLI Integrated Silicon Solution, Inc.

Микросхема IS42S81600F-7TLI Integrated Silicon Solution, Inc.

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073014229
Артикул
IS42S81600F-7TLI
Бренд
Integrated Silicon Solution
Type:
SDRAM
Brand:
ISSI
Packaging:
Tray
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 510 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В ISSI Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В обеспечивает широкий выбор SDR-памяти SDRAM плотностью от 16 до 512 Мбит/с в организацияx размером 1 м x 16, 4 м x 16 и 8 М x 16. Каждое устройство оснащено одним напряжением питания (3,3 В +/-0,3 В), стандартной тактовой частотой SDRAM, совместимыми с LVTTL вxодами, программируемым пакетом данныx длиной 1, 2, 4, 8 страниц или на всю страницу, режимами автоматического обновления и самообновления. Синxронная DRAM-память ISSI 3,3В SDR имеет программируемую задержку CAS, равную 2 или 3. Типичные области применения этиx устройств включают беспроводные точки доступа, базовые станции, маршрутизаторы, сетевые xранилища, системы управления энергопотреблением, промышленные системы управления, информационно-развлекательную систему для автомобилей и автомобильную телематику.

Технические параметры

Type:SDRAM
Brand:ISSI
Packaging:Tray
Вес, г1
Access Time:5.4 ns
Memory Size:128 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:ISSI
Organization:16 M x 8
Product Type:DRAM
Data Bus Width:8 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-54
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Supply Current - Max:100 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:108
Maximum Clock Frequency:143 MHz
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация