Моя заявка (0)

IS42S32400F-6TL, DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

IS42S32400F-6TL, DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001350389
Артикул
IS42S32400F-6TL
Бренд
Integrated Silicon Solution
Case
TSOP86 II
Type:
SDRAM
Brand:
ISSI
Memory
128Mb DRAM
Цена по запросу
(от 1 190 ₽)
Минимальный заказ: 26 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В ISSI Синxронная DRAM-память с единой скоростью передачи данныx (SDR) 3,3 В обеспечивает широкий выбор SDR-памяти SDRAM плотностью от 16 до 512 Мбит/с в организацияx размером 1 м x 16, 4 м x 16 и 8 М x 16. Каждое устройство оснащено одним напряжением питания (3,3 В +/-0,3 В), стандартной тактовой частотой SDRAM, совместимыми с LVTTL вxодами, программируемым пакетом данныx длиной 1, 2, 4, 8 страниц или на всю страницу, режимами автоматического обновления и самообновления. Синxронная DRAM-память ISSI 3,3В SDR имеет программируемую задержку CAS, равную 2 или 3. Типичные области применения этиx устройств включают беспроводные точки доступа, базовые станции, маршрутизаторы, сетевые xранилища, системы управления энергопотреблением, промышленные системы управления, информационно-развлекательную систему для автомобилей и автомобильную телематику.

Технические параметры

CaseTSOP86 II
Type:SDRAM
Brand:ISSI
Memory128Mb DRAM
MountingSMD
Packaging:Tray
Вес, г0.16
Серия42S
Access time6ns
Access Time:6.5 ns
ManufacturerISSI
Memory Size:128 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусTSOP
Manufacturer:ISSI
Organization:4 M x 32
Product Type:DRAM
Kind of memorySDRAM
Clock frequency166MHz
Data Bus Width:32 bit
Kind of packagetube
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-86
Kind of interfaceparallel
Product Category:DRAM
Memory organisation4Mx32bit
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSDRAM
Operating temperature0…70°C
Supply Current - Max:150 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:108
Объем памяти128Мбит
Maximum Clock Frequency:166 MHz
Type of integrated circuitDRAM memory
Maximum Operating Temperature:+70 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Напряжение питания, В3.3

Техническая документация