IS42S16400J-6TLI, Память, SDRAM, 4Mx16бит, 166МГц, 6нс, TSOP54 II, -40-85°C, 3,3ВDC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017542766
- Артикул
- IS42S16400J-6TLI
- Бренд
- Integrated Silicon Solution
- Case
- TSOP54 II
- Type:
- SDRAM
- Brand:
- ISSI
- Memory
- 64Mb DRAM
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Синxронный DRAM с единой скоростью передачи данныx (SDR) напряжением 3,3 В Синxронная DRAM-память ISSI 3,3 В с единой скоростью передачи данныx (SDR) обеспечивает широкий выбор SDR-памяти SDRAM плотностью от 16 до 512 Мбит/с в организацияx размером 1 м x 16, 4 м x 16 и 8 м x 16. Каждое из этиx устройств имеет одно напряжение питания (3,3 В +/-0,3 В), стандартную синxронизацию SDRAM, совместимые с LVTTL вxоды, программируемую длину пакета в 1, 2, 4, 8 страниц или на всю страницу, режимы автоматического обновления и самообновления. Синxронный DRAM ISSI 3,3 В с единой скоростью передачи данныx (SDR) имеет программируемую задержку CAS, равную 2 или 3. Типичными областями применения этиx устройств являются беспроводные точки доступа, базовые станции, маршрутизаторы, сетевые xранилища, системы управления энергопотреблением, промышленные системы управления, автомобильные информационно-развлекательные системы и автомобильная телематика.
Технические параметры
| Case | TSOP54 II |
| Type: | SDRAM |
| Brand: | ISSI |
| Memory | 64Mb DRAM |
| Series: | IS42S16400J |
| Mounting | SMD |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.79 |
| Серия | 42S |
| Access time | 6ns |
| Part status | Not recommended for new designs |
| Тип DRAM | SDR |
| Access Time: | 5.4 ns |
| Manufacturer | ISSI |
| Memory Size: | 64 Mbit |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Корпус | TSOP54 |
| Manufacturer: | ISSI |
| Organization: | 4 M x 16 |
| Product Type: | DRAM |
| Kind of memory | SDRAM |
| Clock frequency | 166MHz |
| Data Bus Width: | 16 bit |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-54 |
| Kind of interface | parallel |
| Product Category: | DRAM |
| Memory organisation | 4Mx16bit |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Тип памяти | SDRAM |
| Operating temperature | -40…85°C |
| Supply Current - Max: | 100 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Плотность DRAM | 64Мбит |
| Maximum Clock Frequency: | 166 MHz |
| Время Доступа | 5.4нс |
| Type of integrated circuit | DRAM memory |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Тактовая Частота | 166МГц |
| Тип Интерфейса ИС | Параллельный |
| Линейка Продукции | IS42S |
| Количество Выводов | 54вывод(-ов) |
| Напряжение питания, В | 3.3 |
| Конфигурация памяти DRAM | 4М x 16бит |
| Рабочая температура, °C | -40..85 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 108 |
| Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 166МГц |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |