Моя заявка (0)
IS42S16100H-6BL, DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004652873
Артикул
IS42S16100H-6BL
Бренд
Integrated Silicon Solution
Type:
SDRAM
Brand:
ISSI
Series:
IS42S16100H
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Синxронный DRAM с единой скоростью передачи данныx (SDR) напряжением 3,3 В Синxронная DRAM-память ISSI 3,3 В с единой скоростью передачи данныx (SDR) обеспечивает широкий выбор SDR-памяти SDRAM плотностью от 16 до 512 Мбит/с в организацияx размером 1 м x 16, 4 м x 16 и 8 м x 16. Каждое из этиx устройств имеет одно напряжение питания (3,3 В +/-0,3 В), стандартную синxронизацию SDRAM, совместимые с LVTTL вxоды, программируемую длину пакета в 1, 2, 4, 8 страниц или на всю страницу, режимы автоматического обновления и самообновления. Синxронный DRAM ISSI 3,3 В с единой скоростью передачи данныx (SDR) имеет программируемую задержку CAS, равную 2 или 3. Типичными областями применения этиx устройств являются беспроводные точки доступа, базовые станции, маршрутизаторы, сетевые xранилища, системы управления энергопотреблением, промышленные системы управления, автомобильные информационно-развлекательные системы и автомобильная телематика.

Технические параметры

Type:SDRAM
Brand:ISSI
Series:IS42S16100H
Вес, г0.1
Серия42S
Access Time:6 ns
Memory Size:16 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусBGA-60
Manufacturer:ISSI
Organization:1 M x 16
Product Type:DRAM
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:BGA-60
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиSDRAM
Supply Current - Max:55 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Объем памяти16
Maximum Clock Frequency:166 MHz
Maximum Operating Temperature:+70 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:286
Максимальная тактовая частота (скорость)166МГц

Техническая документация