Моя заявка (0)

IS29GL256-70SLET, NOR Flash 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected

IS29GL256-70SLET, NOR Flash 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004739751
Артикул
IS29GL256-70SLET
Бренд
Integrated Silicon Solution
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Brand:
ISSI
Speed:
70 ns
Цена по запросу
(от 2 800 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства параллельной флэш-памяти IS29GL256 Устройства параллельной флэш-памяти ISSI IS29GL256 обеспечивают быстрое время доступа к страницам, составляющее 20 секунд, при соответствующем времени произвольного доступа, равном 70 секундам. Эти устройства памяти оснащены буфером записи, который позволяет запрограммировать максимум 32 слова/64 байта за одну операцию. Таким образом, устройства IS29GL256 обеспечивают более быстрое эффективное программирование по сравнению со стандартными алгоритмами программирования. Эти устройства памяти идеально подxодят для встраиваемыx приложений, требующиx более высокой плотности, производительности и низкого энергопотребления.

Технические параметры

ECCN3A991B1A
HTSUS8542.32.0071
Brand:ISSI
Speed:70 ns
PackageTray
Series:IS29GL256
TechnologyFLASH - NOR
Вес, г16.47
Серия29GL
Access Time70ns
Memory Size256Mb (32M x 8)
Memory TypeNon-Volatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Memory Size:256 Mbit
Subcategory:Memory & Data Storage
Timing Type:Asynchronous
КорпусTSOP
Manufacturer:ISSI
Memory FormatFLASH
Mounting TypeSurface Mount
Organization:32 M x 8/16 M x 16
Product Type:NOR Flash
Package / Case56-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
Data Bus Width:8 bit/16 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOP-56
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V
Product Category:NOR Flash
Интерфейсparallel
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиFLASH-NOR
Operating Temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Supplier Device Package56-TSOP I
Объем памяти256МБ
Время Доступа70нс
Размер Памяти256Мбит
Тип Flash ПамятиПоследовательная NOR
Write Cycle Time - Word, Page200Вµs
Maximum Operating Temperature:+105 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Тип Интерфейса ИСCFI, Параллельный
Линейка Продукции3V Parallel NOR Flash Memories
Количество Выводов56вывод(-ов)
Напряжение питания, В3
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:96
Конфигурация Флэш-памяти32М x 8бит/16М x 16бит
Минимальное Напряжение Питания3В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиTSOP
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура105°C
Максимальная тактовая частота (скорость)70
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация