Моя заявка (0)

IS25LP016D-JBLE, Память FLASH; NOR Flash; 16Мбит; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3-3,6В

IS25LP016D-JBLE, Память FLASH; NOR Flash; 16Мбит; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3-3,6В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024581187
Артикул
IS25LP016D-JBLE
Бренд
Integrated Silicon Solution
Case
SO8
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
Memory
16Mb FLASH
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема флэш - памяти 16 Мб (2 М x 8) с четыреxъядерным интерфейсом ввода-вывода, QPI, DTR 133 МГц, 8-SOIC

Технические параметры

CaseSO8
ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0071
Memory16Mb FLASH
PackageTube
MountingSMD
TechnologyFLASH - NOR
Вес, г0.14
Серия25LP
Memory Size16Mb (2M x 8)
Memory TypeNon-Volatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
ManufacturerISSI
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусSOIC-8(5.30мм)
Memory FormatFLASH
Mounting TypeSurface Mount
Kind of memoryNOR Flash
Package / Case8-SOIC (0.209"", 5.30mm Width)
Clock Frequency133MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Voltage - Supply2.3V ~ 3.6V
Kind of interfaceserial
Operating voltage2.3…3.6V
ИнтерфейсSPI-Quad
Operating frequency133MHz
Тип памятиflash
Operating Temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
Supplier Device Package8-SOIC
Объем памяти16 Мбит(2М x 8)
Размер Памяти16Мбит
Тип Flash ПамятиПоследовательная NOR
Type of integrated circuitFLASH memory
Write Cycle Time - Word, Page800Вµs
Тактовая Частота133МГц
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Тип Интерфейса ИСSPI
Линейка Продукции3V Serial NOR Flash Memories
Количество Выводов8вывод(-ов)
Напряжение питания, В2.3…3.6
Рабочая температура, °C-40…+105
Конфигурация Флэш-памяти2М x 8бит
Минимальное Напряжение Питания2.3В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиSOIC
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная Рабочая Температура105 C
Максимальная тактовая частота (скорость)133МГц
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация