IRS21864SPBF MOSFET Gate Driver, 4 A, 20V 14-Pin, SO14N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977067
- Артикул
- IRS21864SPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Type
- High and Low Side
- Brand
- Infineon/IR
Цена по запросу
(от 475,04 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные, высокоскоростные силовые MOSFET-транзисторы Infineon и IGBT-драйверы с независимыми выxодными каналами с высокой и низкой нагрузкой.
Технические параметры
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Type | High and Low Side |
| Brand | Infineon/IR |
| Width | 3.99 mm(Max) |
| Height | 1.5 mm(Max) |
| Length | 8.74 mm(Max) |
| EU RoHS | Compliant |
| Product | Half-Bridge Drivers |
| Features | Independent |
| Mounting | Surface Mount |
| Topology | Half Bridge |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 18ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 14 |
| Rise Time | 38 ns |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Logic Type | CMOS, LSTTL |
| Вес, г | 1 |
| Driver Type | High and Low Side |
| PCB changed | 14 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SO14N |
| Configuration | Non-Inverting |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Output Current | 4 A |
| Package / Case | SOIC-Narrow-14 |
| Supply Voltage | 20V |
| Product Category | Gate Drivers |
| Special Features | Under Voltage Lockout |
| Supplier Package | SOIC N |
| IC Case / Package | NSOIC |
| Number of Drivers | 1 |
| Number of Outputs | 2 |
| Ток стока | 4А |
| Ток истока | 4А |
| Driver Configuration | Non-Inverting |
| Supply Voltage - Max | 20 V |
| Supply Voltage - Min | 10 V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Reference Voltage (V) | 600(Max) |
| Standard Package Name | SO |
| Maximum Fall Time (ns) | 30 |
| Maximum Rise Time (ns) | 38 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Propagation Delay - Max | 250 ns |
| Operating Supply Current | 240 uA |
| Input Logic Compatibility | CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V |
| Maximum Turn-On Delay Time | 170 ns |
| Maximum Supply Current (mA) | 0.24 |
| Maximum Turn-Off Delay Time | 170 ns |
| High and Low Sides Dependency | Independent |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Задержка Выхода | 170нс |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Задержка по Входу | 170нс |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Maximum Propagation Delay Time (ns) | 250 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 14вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 20 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 10 |
| Typical Input Low Threshold Voltage (V) | 8.2 |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Typical Input High Threshold Voltage (V) | 8.9 |
| Стиль Корпуса Привода | NSOIC |
| Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2-1 год |