Моя заявка (0)
HEXFET Type N-Channel MOSFET, 375 A, 40 V DirectFET IRL7472L1TRPBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031012638
Артикул
IRL7472L1TRPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
137 ns
Rise Time:
176 ns
Tradename:
StrongIRFET
Цена по запросу
(от 717,66 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon strongIRFET оптимизировано для работы с низким значением RDS и высокой пропускной способностью по току. Эти устройства идеально подxодят для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:137 ns
Rise Time:176 ns
Tradename:StrongIRFET
Вес, г0.18
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeDirectFET(L)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypePCB Monut
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DirectFET-L8
Part # Aliases:IRL7472L1TRPBF SP001558732
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:220 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:341 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:68 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:174 ns
Id - Continuous Drain Current:564 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:232 S
Maximum Continuous Drain Current375 A
Rds On - Drain-Source Resistance:970 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Рабочая температура,Сот-55 до 175
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Номинальный рабочий ток,А375

Техническая документация