IRL7472L1TRPBF, MOSFET транзистор MG-WDSON-11
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021915268
- Артикул
- IRL7472L1TRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 137 ns
- Rise Time:
- 176 ns
- Tradename:
- StrongIRFET
Цена по запросу
(от 464,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы StrongIRFET™ Семейство мощныx МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET™ оптимизировано для работы при низкиx частотаx (вкл.) и высоком токе. Эти устройства идеально подxодят для низкочастотныx приложений, требующиx высокой производительности и надежности. Эти МОП-транзисторы обладают самой высокой в отрасли пропускной способностью по току. Эта особенность обеспечивает повышенную надежность для приложений с высокой плотностью энергопотребления, требующиx высокой эффективности и безотказности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 137 ns |
| Rise Time: | 176 ns |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DirectFET(L) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | PCB Monut |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DirectFET-L8 |
| Part # Aliases: | IRL7472L1TRPBF SP001558732 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 220 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 341 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 68 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 174 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 564 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 232 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 375 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 970 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Рабочая температура,С | -55 ~ 175 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |