Моя заявка (0)
IRFR120TRPBF, MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025583127
Артикул
IRFR120TRPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Chan 100V 7.7 Amp

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.14
СерияIRFR
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)25
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-252
Power Dissipation (Pd)2.5W;42W
Typical Fall Time (ns)17
Typical Rise Time (ns)27
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)16nC@10V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Input Capacitance (Ciss@Vds)360pF@25V
Continuous Drain Current (Id)7.7A
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)16(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)16(Max)10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.8
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)18
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Maximum Continuous Drain Current (A)7.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)360 25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)270 10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Размер фабричной упаковки2000

Техническая документация