Моя заявка (0)
IRF9Z34PBF, MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025707139
Артикул
IRF9Z34PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.14
Длина
10.41 mm
Серия
IRF9Z
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -18А, Idm: -72А, 88Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.14
Длина10.41 mm
СерияIRF9Z
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeTO-220AB
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада58 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation88 W
Typical Gate Charge @ Vgs34 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220AB-3
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора34 nC
Maximum Drain Source Resistance140 mΩ
Время нарастания120 ns
Maximum Continuous Drain Current18 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности88 W
Id - непрерывный ток утечки18 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5.9 S

Техническая документация