Моя заявка (0)
IRF9540SPBF, MOSFETs TO263 100V 19A P-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025629740
Артикул
IRF9540SPBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.14
Серия
IRF
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 292,09 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -13А, 150Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.14
СерияIRF
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада57 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs61 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора61 nC
Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
Время нарастания73 ns
Maximum Continuous Drain Current19 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности150 W
Id - непрерывный ток утечки19 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения34 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6.2 S

Техническая документация