IRF840SPBF, MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025475401
- Артикул
- IRF840SPBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Vishay Semiconductors
- Width
- 9.65mm
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 8A 3,1Вт TO263 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Width | 9.65mm |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.14 |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | MOSFET |
| Структура | N-канал |
| Transistor Material | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.9 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 850 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |