IRF644PBF, MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025465369
- Артикул
- IRF644PBF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 179 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 8,5А, 125Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.14 |
| Серия | IRF |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 49 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 49 |
| Typical Rise Time (ns) | 24 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 68(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 68(Max)@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Время нарастания | 24 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.7 S |