Моя заявка (0)
IRF530PBF, MOSFETs TO220 100V 14A N-CH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025630795
Артикул
IRF530PBF
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
Width
4.7mm
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 128,92 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 10А, 88Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
Width4.7mm
EU RoHSCompliant
VersionN channel
AssemblyTHT
MilitaryNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
EnclosureTO-220
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Power loss88 W
Вес, г0.14
Длина10.41мм
СерияIRF
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Max. current14 A
Package TypeTO-220AB
max. Voltage100 V
Высота9.01мм
Ширина4.7мм
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Package Width4.65(Max)
Package Height9.01(Max)
Package Length10.51(Max)
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
УпаковкаTube
КатегорияМощный МОП-транзистор
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Тип каналаN
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-220
Вид монтажаThrough Hole
Время спада24 ns
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Typical Fall Time (ns)24
Typical Rise Time (ns)34
Номер каналаПоднятие
Тип продуктаMOSFET
Gate Charge Qg @10V (nC)2.6x10<sup>-8</sup> C
Transistor ConfigurationОдинарный
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation88 W
Typical Gate Charge @ Vgs26 nC @ 10 V
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-55 °C
ПроизводительVishay
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Число контактов3
Maximum Power Dissipation (mW)88000
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора26 nC
Typical Gate Charge @ 10V (nC)26(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)26(Max)@10V
Maximum Drain Source Resistance160 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Время нарастания34 ns
Maximum Continuous Drain Current14 A
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current (A)14
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)670@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)160@10V
Материал транзистораSI
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности88 W
Другие названия товара №IRF520SPBF
Id - непрерывный ток утечки14 A
Размер фабричной упаковки1000
Количество элементов на ИС1
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Типичный заряд затвора при Vgs26 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds670 пФ при 25 В
Rds Вкл - сопротивление сток-исток160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Максимальное рассеяние мощности88 Вт
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+175 °C
Типичное время задержки включения10 нс
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Максимальный непрерывный ток стока14 А
Типичное время задержки выключения23 ns
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Типичное время задержки при включении10 ns
Максимальное сопротивление сток-исток160 мΩ
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5.1 S

Техническая документация