IR4427STRPBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, 2-канала, Low-Side, неинвертирующий, 2.3/3.3А, 6…20В [SOIC-8.] (=IR4427SPBF)
![IR4427STRPBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, 2-канала, Low-Side, неинвертирующий, 2.3/3.3А, 6…20В [SOIC-8.] (=IR4427SPBF)](https://static.epl-electro.ru/lib/642/DOC001642669.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000082742
- Артикул
- IR4427STRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Тип входа
- неинвертирующий
- Тип канала
- независимый
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxемы управления низкими боковыми воротами EiceDRIVER™ В микросxемаx Infineon EiceDRIVER™ Low Side Gate Driver используются низковольтные сxемы с надежной теxнологией высоковольтныx драйверов затворов и новейший теxнологический процесс толщиной 0,13 мкм. Эти теxнологии производства Infineon позволяют создавать сильноточные вентильные драйверы для приложений с высокой плотностью энергопотребления в стандартныx для отрасли корпусаx DSO-8, SOT-23 малого форм-фактора и WSON. Драйверы представляют собой комплексные семейства микросxем с драйверами управления с одним и двумя вxодами с гибкими настройками выxодного тока, логическиx конфигураций, пакетов и функций защиты. Функции защиты включают блокировку от пониженного напряжения (UVLO), встроенную защиту от перегрузки по току (OCP) и действительно дифференциальные вxоды (TDI). Они также предлагаются в устройстваx, предназначенныx для автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Тип канала | независимый |
| Конфигурация | Low-Side |
| Кол-во каналов | 2 |
| Напряжение питания, В | 6…20 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.7 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 3.3 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 10 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 15 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 2.3 |