IR2125SPBF, IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2?1A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070055300
- Артикул
- IR2125SPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- High Side, Low Side
- Вес, г
- 0.45
- Длина
- 10.5 mm
- Высота
- 2.65 mm
Цена по запросу
(от 554,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы для управления затвором 1 CURRENT LIMIT PRGM SHUTDOWN ERROR PIN
Технические параметры
| Тип | High Side, Low Side |
| Вес, г | 0.45 |
| Длина | 10.5 mm |
| Высота | 2.65 mm |
| Ширина | 7.6 mm |
| Продукт | MOSFET Gate Drivers |
| Упаковка | Tube |
| IC Case / Package | SOIC |
| Ток стока | 3.3А |
| Тип логики | CMOS, TTL |
| Ток истока | 1.6А |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 35 ns |
| Особенности | Synchronous |
| Выходной ток | 1 A |
| Тип продукта | Gate Drivers |
| Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOIC-16 |
| Задержка Выхода | 200нс |
| Время нарастания | 60 ns |
| Задержка по Входу | 170нс |
| Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) |
| Количество выходов | 1 Output |
| Выходное напряжение | 12 V to 18 V |
| Количество драйверов | 1 Driver |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Напряжение питания - мин. | 0 V |
| Другие названия товара № | SP001544556 |
| Напряжение питания - макс. | 18 V |
| Размер фабричной упаковки | 45 |
| Тип переключателя питания | MOSFET |
| Рабочее напряжение питания | 12 V to 18 V |
| Рабочий ток источника питания | 1.2 mA |
| Минимальное Напряжение Питания | 0В |
| Задержка распространения - макс. | 270 ns |
| Максимальное Напряжение Питания | 18В |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное время задержки включения | 170 ns |
| Максимальное время задержки выключения | 200 ns |