IR2101STRPBF, Микросхема: driver, полумост MOSFET, high-/low-side, контроллер затвора
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062083615
- Артикул
- IR2101STRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8542.39.0001
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Version
- Half-Bridge
Цена по запросу
(от 141,43 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Характеристики Категория Микросхема Тип драйвер Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Version | Half-Bridge |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOIC-8 |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Input Type | Non-Inverting |
| Вес, г | 0.14 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | Independent |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Input voltage | 3 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) |
| Voltage - Supply | 10V ~ 20V |
| Мощность | рассеиваемая(max)-625 мВт |
| Описание | Half-Bridge Gate Driver |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Number of Drivers | 2 |
| Output voltage DC | 10-20 V |
| Base Product Number | IR2101 -> |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Количество | каналов-2 |
| Напряжение | питания 10…20В |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 50ns |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 (1 Year) |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 210mA, 360mA |
| Диапазон рабочих температур | -40…+125 °С |
| Транспортная упаковка размер/кол-во | 60*40*40/2500 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*40/2500 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 2 |
Техническая документация
Datasheet IR2101(S)/IR2102(S) & (PbF)pdf, 140 КБDeclaration of Conformity - DE Declaration of Conformitypdf, 79 КБDeclaration of Conformity - EN Declaration of Conformitypdf, 78 КБUsing IR monolithic high voltage gate driverspdf, 356 КБТехническая информацияpdf, 138 КБТехническая информацияpdf, 138 КБ