Микросхема IPD60R3K3C6 MOSFET N-Ch 650V 1.7A 3.3 Ohm, 2012 г.в.
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070000989
- Артикул
- IPD60R3K3C6
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Package
- 3TO-252
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Bulk
- Вес, г
- 0.35
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросхема IPD60R3K3C6 — изделие серии IPD60. Характеристики Обозначение: IPD60R3K3C6 Параметры: MOSFET N-Ch 650V 1.7A 3.3 Ohm Масса: 0.35 г Год выпуска: 2012 Производитель: Infineon Единица измерения: шт
Технические параметры
| Package | 3TO-252 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Bulk |
| Вес, г | 0.35 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Fall Time | 11 ns |
| Typical Rise Time | 8 ns |
| Operating Temperature | -55 to 150 ??C |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 58 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.3 A |