IPD60R180P7S, МОП-Транзистор TO-252-3 MOSFET транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048099539
- Артикул
- IPD60R180P7S
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOSв(ў P7
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 600 В, 18 А, 72 Вт, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:18 А; Напряжение источника стока Vds: 600 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,145 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3,5
Технические параметры
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.4 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280ВµA |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 72W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |