IMH11AT110, Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025591785
- Артикул
- IMH11AT110
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- IMH11A
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | IMH11A |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | IMH11A |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Part # Aliases | IMH11A |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | IMH11A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |