Моя заявка (0)
ILD621GB-X007T, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Dual CTR 100%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062283135
Артикул
ILD621GB-X007T
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
2 us
Rise Time:
2 us
Вес, г
1.87
Цена по запросу
(от 171 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторные выходные оптопары Phototransistor Out Dual CTR > 100%

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:2 us
Rise Time:2 us
Вес, г1.87
Длина9.91 mm
Output Type:NPN Phototransistor
Subcategory:Optocouplers
Высота3.81 mm
Ширина6.81 mm
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PDIP-8 Gull Wing
Product Type:Transistor Output Optocouplers
Configuration:2 Channel
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Transistor Output Optocouplers
Isolation Voltage:5300 Vrms
Number of Channels:2 Channel
Тип выходаNPN Phototransistor
If - Forward Current:60 mA
Vf - Forward Voltage:1.3 V
Vr - Reverse Voltage:6 V
Вид монтажаSMD/SMT
Factory Pack Quantity:1000
Current Transfer Ratio:100%
Pd - Power Dissipation:400 mW
Тип продуктаTransistor Output Optocouplers
If - прямой ток60 mA
Конфигурация2 Channel
ПодкатегорияOptocouplers
Maximum Collector Current:100 mA
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPDIP-8 Gull Wing
Current Transfer Ratio - Max:600%
Current Transfer Ratio - Min:100%
Maximum Operating Temperature:+100 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage:70 V
Категория продуктаТранзисторные выходные оптопары
Количество каналов2 Channel
Напряжение изоляции5300 Vrms
Vf - прямое напряжение1.3 V
Vr - обратное напряжение6 V
Pd - рассеивание мощности400 mW
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:400 mV
Размер фабричной упаковки1000
Коэффициент передачи по току600 %
Максимальный коллекторный ток100 mA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер70 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V

Техническая документация