Моя заявка (0)
IL216AT, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 50%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004641074
Артикул
IL216AT
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Standard
cUL|DIN|EN|IEC|UL|VDE
Цена по запросу
(от 111,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторные выходные оптопары Phototransistor Out Single CTR >50%

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
StandardcUL|DIN|EN|IEC|UL|VDE
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Input TypeDC
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.26
Длина5 mm
Output TypeDC
PCB changed8
Part StatusActive
Высота1.55 mm
Ширина4 mm
Output DeviceTransistor With Base
Package Width4(Max)
Package Length5(Max)
Supplier PackageSOIC N
УпаковкаReel, Cut Tape
Тип выходаNPN Phototransistor
Standard Package NameSO
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаTransistor Output Optocouplers
If - прямой ток10 mA
Конфигурация1 Channel
ПодкатегорияOptocouplers
Maximum Forward Voltage (V)1.5
Number of Channels per Chip1
Typical Forward Voltage (V)1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокSOIC-Narrow-8
Maximum Forward Current (mA)60
Maximum Collector Current (mA)100
Maximum Power Dissipation (mW)240
Minimum Isolation Voltage (Vrms)4000
Maximum Current Transfer Ratio (%)80(Typ)
Minimum Current Transfer Ratio (%)50
Maximum Operating Temperature (°C)100
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаТранзисторные выходные оптопары
Количество каналов1 Channel
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)30
Напряжение изоляции4000 Vrms
Vf - прямое напряжение1.5 V
Current Transfer Ratio Test Current (mA)1
Vr - обратное напряжение6 V
Pd - рассеивание мощности240 mW
Размер фабричной упаковки2000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)400
Коэффициент передачи по току80 %
Максимальный коллекторный ток100 mA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер30 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V

Техническая документация