IL205AT, Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, SOIC, 8 Pins, 60 mA, 4 kV, 40 %

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012519958
- Артикул
- IL205AT
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- CTR@If
- 80%@10mA
- Тип
- транзисторная
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Оптопара транзисторная IL205AT от производителя VISHAY представляет собой высококачественный компонент для использования в различных электронных устройствах. С основными характеристиками в виде коэффициента передачи тока (CTR) на уровне 80% при токе 10mA, максимальным выходным напряжением в 70 В и одноканальной структурой, этот товар обеспечивает надежную изоляцию сигналов. Время включения и выключения составляет всего 3 мкс, что гарантирует быструю реакцию на изменения сигналов. Напряжение изоляции достигает 3 кВ, обеспечивая высокий уровень защиты. Монтаж данной оптопары осуществляется с помощью SMD-технологии, а корпус SO8 делает её удобной для интеграции в современные электронные схемы. Код товара IL205AT подтверждает его уникальность и обеспечивает легкость идентификации в каталоге. Этот товар идеально подходит для области применения в системах связи, промышленном оборудовании и автоматизации, гарантируя высокие стандарты качества и надежности. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 80%@10mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 70 Время включения, мкс 3 Время выключения, мкс 3 Напряжение изоляции, кВ 3 Монтаж SMD Корпус SO8
Технические параметры
| PPAP | No |
| CTR@If | 80%@10mA |
| Тип | транзисторная |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Standard | CSA|UL |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Input Type | DC |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.309 |
| Длина | 5 mm |
| Output Type | DC |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.55 mm |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Ширина | 4 mm |
| Output Device | Transistor With Base |
| Supplier Package | SOIC N |
| Вид выхода | транзистор |
| Тип выхода | NPN Phototransistor |
| Standard Package Name | SOP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | Transistor Output Optocouplers |
| If - прямой ток | 60 mA |
| Конфигурация | 1 Channel |
| Подкатегория | Optocouplers |
| Кол-во каналов | 1 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.5 |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Typical Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
| Maximum Forward Current (mA) | 60 |
| Maximum Forward Voltage - (V) | 1.5 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~100 |
| Maximum Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 240 |
| Maximum Collector Current - (mA) | 100 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 240 |
| Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 4000 |
| Maximum Current Transfer Ratio (%) | 80 |
| Minimum Current Transfer Ratio (%) | 40 |
| Minimum Isolation Voltage - (Vrms) | 4000 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Транзисторные выходные оптопары |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Current Transfer Ratio - (%) | 80 |
| Minimum Current Transfer Ratio - (%) | 40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
| Время включения, мкс | 3 |
| Напряжение изоляции | 4000 Vrms |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 70 |
| Время выключения, мкс | 3 |
| Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Напряжение изоляции, кВ | 3 |
| Pd - рассеивание мощности | 240 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 400 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (mV) | 400 |
| Выходное напряжение макс., В | 70 |
| Коэффициент передачи по току | 80 % |
| Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70 V |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 70 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |