IKZ75N65ES5XKSA1 Single IGBT, 80 A 1.42 V PG-TO247-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020477305
- Артикул
- IKZ75N65ES5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.14
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия Infineon IKZ представляет собой IGBT-транзисторы напряжением 650 В, 75 А с антипараллельным диодом в корпусе TO 247. Высокоскоростной IGBT TRENCHSTOP 5 S5 с жестким переключением напряжения 650 В, 75 А в корпусе TO 247-4 с дополнительным выводом излучателя Кельвина.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO247-4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKZ75N65ES5 SP001602592 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Maximum Power Dissipation | 395 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1.42 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.42 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |