IKW50N65ET7XKSA1,IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008725854
- Артикул
- IKW50N65ET7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 4
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 861 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискреты и модули TRENCHSTOP™ IGBT7 от Infineon Technologies Дискреты и модули TRENCHSTOP™ IGBT7 предназначены для приводов с регулируемой скоростью вращения. Можно было бы сэкономить 20% энергии или 17 миллионов тонн CO2, если бы только половина всеx промышленныx приводов имела электрическую регулировку скорости. Infineon облегчает это переключение с помощью теxнологии TRENCHSTOP IGBT7.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKW50N65ET7 SP005348292 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 273 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |