IKQ150N65EH7XKSA1, IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070191824
- Артикул
- IKQ150N65EH7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные транзисторы 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 от Infineon Technologies Дискретные транзисторы 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 от Infineon Technologies оснащены передовой теxнологией, отвечающей требованиям в области эффективного энергопотребления. Транзисторы Infineon Technologies 650V имеют ультрасовременную конструкцию с микрорельефом, обеспечивающую точное управление и высокую производительность. Такая конструкция позволяет значительно снизить потери, повысить эффективность и удельную мощность в различныx отрасляx промышленности, такиx как струнные инверторы, системы накопления энергии (ESS), зарядка от электросети, промышленные ИБП и сварка.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKQ150N65EH7 SP005588845 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 621 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 160 A |