IKP39N65ES5XKSA1 Single IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin PG-TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013913
- Артикул
- IKP39N65ES5XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 905,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IKP39N65ES5 обладает высочайшей удельной мощностью при занимаемой площади ДО 220 ВТ и не нуждается в компоненте для крепления затвора.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO220 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-2 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IKP39N65ES5 SP002882512 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 188 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 62 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 62 A |