IKP20N60TXKSA1 IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014496534
- Артикул
- IKP20N60TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220-3
- Вид
- IGBT
- Тип
- БТИЗ
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 557,44 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IGBT представляет собой 3-контактный N-канальный транзистор со сквозным креплением TO-220. Он имеет номинальный ток 41 А и номинальное напряжение 600 В. IGBT 3-го поколения с обратной проводимостью, оптимизированный для снижения потерь при переключении и проводимости.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Вид | IGBT |
| Тип | БТИЗ |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | TRENCHSTOP™ |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 0.12µC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 |
| Turn-on time | 36ns |
| Energy Rating | 0.77mJ |
| Mounting Type | Through Hole |
| Turn-off time | 299ns |
| Kind of package | tube |
| Collector current | 20A |
| Power dissipation | 166W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Number of Transistors | 1 |
| Pulsed collector current | 60A |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Maximum Power Dissipation | 166 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 41 A |