IKB40N65ES5ATMA1,IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000374139
- Артикул
- IKB40N65ES5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- PG-TO263-3
- Maximum Power Dissipation
- 230 W
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор пятого поколения с изолированным затвором серии Infineon high speed switching. Высокая эффективность
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 79 A |